Molecular crystal memristors
5.5
来源：
Nature
关键字：
neuromorphic hardware
发布时间：
2025-09-17 19:40
摘要：
研究介绍了一种新型分子晶体忆阻器，采用Sb2O3作为通道材料，具有低能耗（每次操作仅需26 zJ）和超过109次切换周期的耐久性。该设备支持广泛的规模应用，并成功在单个CMOS集成芯片上实现了动态视觉识别，准确率达到100%。此技术的可扩展性通过在8英寸晶圆上制造大规模交叉阵列得以验证，显示出其在未来计算和存储应用中的巨大潜力。
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关键证据
分子晶体忆阻器在能耗和耐久性方面表现优异，能在超过109次切换周期后保持结构完整性。
该设备在动态视觉识别中实现了100%的准确率，展示了其在实际应用中的潜力。
研究团队的多机构合作显示了该技术的国际前沿性。
真实性检查
否
AI评分总结
研究介绍了一种新型分子晶体忆阻器，采用Sb2O3作为通道材料，具有低能耗（每次操作仅需26 zJ）和超过109次切换周期的耐久性。该设备支持广泛的规模应用，并成功在单个CMOS集成芯片上实现了动态视觉识别，准确率达到100%。此技术的可扩展性通过在8英寸晶圆上制造大规模交叉阵列得以验证，显示出其在未来计算和存储应用中的巨大潜力。