Threshold switching in vertically aligned MoS2/SiOx heterostructures based on silver ion migration
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来源：
Nature
关键字：
brain-inspired computing
发布时间：
2025-10-14 19:39
摘要：
该研究探讨了基于银离子迁移的垂直排列MoS2/SiOx异质结构的阈值开关特性，显示出低开关电压和高耐久性，适用于存储和神经形态计算应用。
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该研究探讨了基于银离子迁移的垂直排列MoS2/SiOx异质结构的阈值开关特性，显示出低开关电压和高耐久性，适用于存储和神经形态计算应用。