Study of the neutron radiation hardness of MAPD-3NK2 silicon photomultipliers
8.0
来源：
Nature
关键字：
ADC
发布时间：
2025-11-20 23:46
摘要：
MAPD-3NK2硅光电倍增管在中子辐射下的研究显示出其优越的辐射硬度，尤其在高能物理和空间应用中具有重要价值。实验结果表明，MAPD-3NK2在辐射条件下的暗电流增加和信号幅度降低，但经过室温退火后可部分恢复。该设备的深埋像素结构提供了更好的辐射耐受性，适合未来的高辐射环境应用。
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关键证据
研究显示MAPD-3NK2在辐射条件下的性能变化
实验数据表明其在高辐射环境中的应用潜力
研究结果强调了深埋像素结构的辐射耐受性
真实性检查
否
AI评分总结
MAPD-3NK2硅光电倍增管在中子辐射下的研究显示出其优越的辐射硬度，尤其在高能物理和空间应用中具有重要价值。实验结果表明，MAPD-3NK2在辐射条件下的暗电流增加和信号幅度降低，但经过室温退火后可部分恢复。该设备的深埋像素结构提供了更好的辐射耐受性，适合未来的高辐射环境应用。